MHA160

低功耗CMOS工艺
宽工作电压:1.65~5.5V
超低功耗,<5uA@1.8V
可很好地免除射频噪声干扰
单极输出
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
符合RoHS标准
SOT553 封装1.20mmx1.6mmx0.5mm

MHA150

低功耗CMOS工艺
宽工作电压:1.65~5.5V
超低功耗,<5uA@1.8V
可很好地免除射频噪声干扰
单极输出
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
符合RoHS标准
SOT23 封装 2.90mmx1.6mmx1.2mm

MHA101

低功耗CMOS工艺
宽工作电压:1.65~5.5V
超低功耗,<5uA@1.8V
可很好地免除射频噪声干扰
单极操作
由N和S单极霍尔开关组成的双输出
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
符合RoHS标准
DFN4封装1.0mmx1.4mmx0.37mm

MHA100KN

低功耗CMOS工艺
宽工作电压:1.65~5.5V
超低功耗,<5uA@1.8V
可很好地免除射频噪声干扰
全极操作
由N和S单极霍尔开关组成的双输出
工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
符合RoHS标准
DFN4封装